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2018/08/20
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 微电子
- 项目名称 一种改善SiC/SiO2界面态密度的方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开了一种改善SiC/SiO2界面态密度的方法，属于微电子技术领域。本发明的改善SiC/SiO2界面态密度方法具体包括以下步骤：基片表面清洗；底层SiO2层的生长；对底层SiO2栅介质层的SiC外延片进行PDS退火；对进行了PDS退火的SiC外延片进行顶层SiO2层的淀积；底部衬底电极的生长，并进行电极退火；对进行了衬底电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成。本发明通过在P氛围中进行退火，能有效的减小SiC/SiO2表面界面态密度，从而改善SiC/SiO2界面质量，提高器件特性。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2017/12/29
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
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