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2018/08/20
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 系统集成
- 项目名称 异沟道CMOS集成器件及其制备方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明涉及一种异沟道CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；在SOI衬底上连续生长P型应变Ge层和P型应变Si层，以分别形成PMOS的沟道层和NMOS的沟道层；在P型应变Si层表面上采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，以分离形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀PMOS有源区表面的应变硅层，并向PMOS有源区内注入N型离子；在PMOS有源区指定位置处注入P型离子形成PMOS源漏区，在NMOS有源区指定位置处注入N型离子形成NMOS源漏区；在PMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成PMOS栅极；在NMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成异沟道CMOS集成器件。本发明实施例实现了高性能异沟道CMOS器件的制备。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2018/01/02
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
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